CEM2939 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEM2939
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5(4.8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10(8.4) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230(205) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.055) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM2939

CEM2939 Datasheet (PDF)

..1. Size:457K cet
cem2939.pdf

CEM2939Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES520V, 6.5A, RDS(ON) = 30m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 43m @VGS = 2.5V.-20V, -4.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 90m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D1 D1 D2 D2High power and current handing capability.8 7 6 5Lead free product is acquired.Sur

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Liste

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