CEM2939 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM2939

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5(4.8) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10(8.4) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230(205) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.055) Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM2939 datasheet

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CEM2939

CEM2939 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 20V, 6.5A, RDS(ON) = 30m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 43m @VGS = 2.5V. -20V, -4.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 90m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Sur

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