CEM2939 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM2939
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5(4.8) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10(8.4) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230(205) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.055) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM2939
CEM2939 Datasheet (PDF)
cem2939.pdf
CEM2939Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES520V, 6.5A, RDS(ON) = 30m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 43m @VGS = 2.5V.-20V, -4.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 90m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D1 D1 D2 D2High power and current handing capability.8 7 6 5Lead free product is acquired.Sur
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Liste
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