CEM2939. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM2939

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5(4.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10(8.4) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230(205) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03(0.055) Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM2939

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2939 даташит

 ..1. Size:457K  cet
 cem2939.pdf pdf_icon

CEM2939

CEM2939 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 5 20V, 6.5A, RDS(ON) = 30m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 43m @VGS = 2.5V. -20V, -4.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 90m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Sur

Другие IGBT... CEM0215, CEM0310, CEM0410, CEM0415, CEM1010, CEM2182, CEM2539A, CEM26138, AON7410, CEM3032, CEM3060, CEM3109, CEM3120, CEA3252, CEB10N65, CEB12N65, CEC8218