CEA3252 Todos los transistores

 

CEA3252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEA3252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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CEA3252 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  cet
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CEA3252

CEA3252N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 5A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDra

 ..2. Size:868K  cn vbsemi
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CEA3252

CEA3252www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs600.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDGSG D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAX

Otros transistores... CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 , CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 , CEM3120 , IRLZ44N , CEB10N65 , CEB12N65 , CEC8218 , CEF05N6 , CEF10N65 , CEF12N65 , CEH8205 , CEM2539 .

History: FDZ4670S | HGB220N25S | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | MMFT60R195PCTH

 

 
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