CEA3252 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEA3252

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: SOT89

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CEA3252 datasheet

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CEA3252

CEA3252 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 5A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-89 package. G D S D G SOT-89 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Dra

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CEA3252

CEA3252 www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAX

Otros transistores... CEM2182, CEM2539A, CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060, CEM3109, CEM3120, AON6380, CEB10N65, CEB12N65, CEC8218, CEF05N6, CEF10N65, CEF12N65, CEH8205, CEM2539