CEA3252. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CEA3252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для CEA3252
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CEA3252 даташит
cea3252.pdf
CEA3252 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 5A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-89 package. G D S D G SOT-89 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Dra
cea3252.pdf
CEA3252 www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAX
Другие IGBT... CEM2182, CEM2539A, CEM26138, CEM2939, CEM3032, CEM3060, CEM3109, CEM3120, AON6380, CEB10N65, CEB12N65, CEC8218, CEF05N6, CEF10N65, CEF12N65, CEH8205, CEM2539
History: CEM3254
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923


