CEA3252 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEA3252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для CEA3252
CEA3252 Datasheet (PDF)
cea3252.pdf
CEA3252N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 5A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDra
cea3252.pdf
CEA3252www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.030 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETs600.036 at VGS = 4.5 V 6.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDGSG D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... CEM2182 , CEM2539A , CEM26138 , CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 , CEM3120 , AON6380 , CEB10N65 , CEB12N65 , CEC8218 , CEF05N6 , CEF10N65 , CEF12N65 , CEH8205 , CEM2539 .
History: NP80N03DDE | SQJ963EP | VBZFB40N03 | NP80N03EDE | CEM3060 | CEF12N65
History: NP80N03DDE | SQJ963EP | VBZFB40N03 | NP80N03EDE | CEM3060 | CEF12N65
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923



