CEC8218 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEC8218

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 860 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: DFN3*3

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CEC8218 datasheet

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CEC8218

CEC8218 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES D D 20V, 6.5A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V. *1K *1K Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G1 G2 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. S1 S2 *Typical value by design D D D D D 8 7 6 5 Bottom View 1 2 3 4 DFN3*3 S1 G1 S2

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