CEC8218 Todos los transistores

 

CEC8218 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEC8218
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 860 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3*3
 

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CEC8218 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  cet
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CEC8218

CEC8218Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESD D20V, 6.5A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V.*1K *1KSuper High dense cell design for extremely low RDS(ON).G1 G2High power and current handing capability.Lead free product is acquired.S1 S2*Typical value by designDD D D D8 7 6 5Bottom View1 2 3 4DFN3*3S1 G1 S2

Otros transistores... CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 , CEM3120 , CEA3252 , CEB10N65 , CEB12N65 , IRFP450 , CEF05N6 , CEF10N65 , CEF12N65 , CEH8205 , CEM2539 , CEM73A3G , CEZ3R03 , CEM7808 .

History: DMN601DMK | MVGSF1N03L | FQI9N25CTU | IRH9230 | RSD080N06FRA | EFC4621R | 2N06L11P

 

 
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