CEC8218 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEC8218
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 860 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3*3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEC8218

CEC8218 Datasheet (PDF)

..1. Size:433K cet
cec8218.pdf

CEC8218Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESD D20V, 6.5A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V.*1K *1KSuper High dense cell design for extremely low RDS(ON).G1 G2High power and current handing capability.Lead free product is acquired.S1 S2*Typical value by designDD D D D8 7 6 5Bottom View1 2 3 4DFN3*3S1 G1 S2

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Liste

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