Справочник MOSFET. CEC8218

 

CEC8218 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEC8218
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 860 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: DFN3*3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC8218 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  cet
 cec8218.pdf pdf_icon

CEC8218

CEC8218Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESD D20V, 6.5A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V.*1K *1KSuper High dense cell design for extremely low RDS(ON).G1 G2High power and current handing capability.Lead free product is acquired.S1 S2*Typical value by designDD D D D8 7 6 5Bottom View1 2 3 4DFN3*3S1 G1 S2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVS20N60FJD2

 

 
Back to Top

 


 
.