CEC8218. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEC8218

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 860 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: DFN3*3

Аналог (замена) для CEC8218

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC8218 даташит

 ..1. Size:433K  cet
 cec8218.pdf pdf_icon

CEC8218

CEC8218 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES D D 20V, 6.5A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V. *1K *1K Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). G1 G2 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. S1 S2 *Typical value by design D D D D D 8 7 6 5 Bottom View 1 2 3 4 DFN3*3 S1 G1 S2

Другие IGBT... CEM2939, CEM3032, CEM3060, CEM3109, CEM3120, CEA3252, CEB10N65, CEB12N65, NCEP15T14, CEF05N6, CEF10N65, CEF12N65, CEH8205, CEM2539, CEM73A3G, CEZ3R03, CEM7808