Справочник MOSFET. CEC8218

 

CEC8218 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEC8218
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 860 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: DFN3*3
 

 Аналог (замена) для CEC8218

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC8218 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  cet
 cec8218.pdf pdf_icon

CEC8218

CEC8218Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESD D20V, 6.5A, RDS(ON) = 23m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34m @VGS = 2.5V.*1K *1KSuper High dense cell design for extremely low RDS(ON).G1 G2High power and current handing capability.Lead free product is acquired.S1 S2*Typical value by designDD D D D8 7 6 5Bottom View1 2 3 4DFN3*3S1 G1 S2

Другие MOSFET... CEM2939 , CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 , CEM3120 , CEA3252 , CEB10N65 , CEB12N65 , IRFP450 , CEF05N6 , CEF10N65 , CEF12N65 , CEH8205 , CEM2539 , CEM73A3G , CEZ3R03 , CEM7808 .

History: NCE65N460 | 2N5199 | AP72T03GJ-HF | AD4N60S | PJ4N3KDW | PMV30UN | VMO60-05F

 

 
Back to Top

 


 
.