CEF05N6 Todos los transistores

 

CEF05N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEF05N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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CEF05N6 Datasheet (PDF)

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CEF05N6

CEF05N6PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 5A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220F full-pak for through hole.GCEF SERIESSTO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbo

 0.1. Size:427K  cet
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CEF05N6

CEP05N65/CEB05N65CEF05N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP05N65 650V 2.4 4.5A 10VCEB05N65 650V 2.4 4.5A 10VCEF05N65 650V 2.4 4.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO

 8.1. Size:344K  cet
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CEF05N6

CEP05N8/CEB05N8CEF05N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP05N8 800V 2.9 4.4A 10VCEB05N8 800V 2.9 4.4A 10VCEF05N8 800V 2.9 4.4A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S

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History: SI9926CDY | 2SK2572

 

 
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