CEF05N6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEF05N6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для CEF05N6
CEF05N6 Datasheet (PDF)
cef05n6.pdf

CEF05N6PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 5A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220F full-pak for through hole.GCEF SERIESSTO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbo
cep05n65 ceb05n65 cef05n65.pdf

CEP05N65/CEB05N65CEF05N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP05N65 650V 2.4 4.5A 10VCEB05N65 650V 2.4 4.5A 10VCEF05N65 650V 2.4 4.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO
ceb05n8 cef05n8 cep05n8.pdf

CEP05N8/CEB05N8CEF05N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP05N8 800V 2.9 4.4A 10VCEB05N8 800V 2.9 4.4A 10VCEF05N8 800V 2.9 4.4A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S
Другие MOSFET... CEM3032 , CEM3060 , CEM3109 , CEM3120 , CEA3252 , CEB10N65 , CEB12N65 , CEC8218 , IRFP250 , CEF10N65 , CEF12N65 , CEH8205 , CEM2539 , CEM73A3G , CEZ3R03 , CEM7808 , CEP10N65 .
History: SSG4499P | P0660ED | SI2301BDS-T1-GE3 | 2SK3857TV | FHF4N60A | HSM6901 | FXN11N45F
History: SSG4499P | P0660ED | SI2301BDS-T1-GE3 | 2SK3857TV | FHF4N60A | HSM6901 | FXN11N45F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m