CEF05N6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEF05N6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CEF05N6 Datasheet (PDF)
cef05n6.pdf

CEF05N6PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 5A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220F full-pak for through hole.GCEF SERIESSTO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedParameter Symbo
cep05n65 ceb05n65 cef05n65.pdf

CEP05N65/CEB05N65CEF05N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP05N65 650V 2.4 4.5A 10VCEB05N65 650V 2.4 4.5A 10VCEF05N65 650V 2.4 4.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO
ceb05n8 cef05n8 cep05n8.pdf

CEP05N8/CEB05N8CEF05N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP05N8 800V 2.9 4.4A 10VCEB05N8 800V 2.9 4.4A 10VCEF05N8 800V 2.9 4.4A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: BUK7K45-100E
History: BUK7K45-100E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m