CEM2539 Todos los transistores

 

CEM2539 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM2539
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5(4) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 870(9) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM2539 Datasheet (PDF)

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CEM2539

CEM2539Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1 D2520V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V.*1KG1 G2 RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V.-20V, -4.0A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V.S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V.D1 D1 D2 D28 7 6 5Super high dense cell design for extremely lo

 0.1. Size:615K  cet
 cem2539a.pdf pdf_icon

CEM2539

CEM2539ADual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1 D2520V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 25m @VGS = 4.5V.G1 G2 RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.-20V, -4A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V.S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V.D1 D1 D2 D28 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(

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History: BUK7E11-55B | 2N5199 | BUK7K23-80E

 

 
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