Справочник MOSFET. CEM2539

 

CEM2539 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM2539
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5(4) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 870(9) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM2539

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2539 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  cet
 cem2539.pdf pdf_icon

CEM2539

CEM2539Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1 D2520V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V.*1KG1 G2 RDS(ON) = 33m @VGS = 2.5V.-20V, -4.0A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V.S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V.D1 D1 D2 D28 7 6 5Super high dense cell design for extremely lo

 0.1. Size:615K  cet
 cem2539a.pdf pdf_icon

CEM2539

CEM2539ADual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURESD1 D2520V, 7.5A, RDS(ON) = 22m @VGS = 10V. RDS(ON) = 25m @VGS = 4.5V.G1 G2 RDS(ON) = 40m @VGS = 2.5V.-20V, -4A, RDS(ON) = 80m @VGS = -10V. RDS(ON) = 100m @VGS = -4.5V.S1 S2 RDS(ON) = 150m @VGS = -2.5V.D1 D1 D2 D28 7 6 5Super high dense cell design for extremely low RDS(

Другие MOSFET... CEA3252 , CEB10N65 , CEB12N65 , CEC8218 , CEF05N6 , CEF10N65 , CEF12N65 , CEH8205 , P60NF06 , CEM73A3G , CEZ3R03 , CEM7808 , CEP10N65 , CEP12N65 , CES2336 , CEM3128 , CEM3138 .

History: 2SK3203 | BLL1214-35 | CEP740G | CEB13N10L | CEP03N8 | BLM6G10-30G

 

 
Back to Top

 


 
.