CEM6426 Todos los transistores

 

CEM6426 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM6426
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM6426 Datasheet (PDF)

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CEM6426

CEM6426N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4.7A, RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

 8.1. Size:407K  cet
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CEM6426

CEM6428Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4.1A, RDS(ON) = 68m @VGS = 10V. RDS(ON) = 86m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 4S1 G1 S2 G21ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

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History: SI9926CDY | 2SK2572 | UTT25N08

 

 
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