CEM6426 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM6426

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM6426 datasheet

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CEM6426

CEM6426 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4.7A, RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

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CEM6426

CEM6428 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4.1A, RDS(ON) = 68m @VGS = 10V. RDS(ON) = 86m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

Otros transistores... CEM4308, CEM6056, CEM6086, CEM6086L, CEM6088, CEM6088L, CEM6186, CEM6188, IRF9640, CEM6428, CEM6600, CEM6608, CEM6659, CEM7350, CEM7350L, CEM8208, CEM8809