CEM6426. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM6426

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM6426

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM6426 даташит

 ..1. Size:409K  cet
 cem6426.pdf pdf_icon

CEM6426

CEM6426 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4.7A, RDS(ON) = 66m @VGS = 10V. RDS(ON) = 85m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwis

 8.1. Size:407K  cet
 cem6428.pdf pdf_icon

CEM6426

CEM6428 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4.1A, RDS(ON) = 68m @VGS = 10V. RDS(ON) = 86m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unl

Другие IGBT... CEM4308, CEM6056, CEM6086, CEM6086L, CEM6088, CEM6088L, CEM6186, CEM6188, IRF9640, CEM6428, CEM6600, CEM6608, CEM6659, CEM7350, CEM7350L, CEM8208, CEM8809