CEM8208 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM8208

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 680 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM8208 datasheet

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CEM8208

CEM8208 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 20V, 7A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. ESD Protected 2000 V SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAX

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