CEM8208. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM8208

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 680 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM8208

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM8208 даташит

 ..1. Size:604K  cet
 cem8208.pdf pdf_icon

CEM8208

CEM8208 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 20V, 7A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. ESD Protected 2000 V SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAX

Другие IGBT... CEM6188, CEM6426, CEM6428, CEM6600, CEM6608, CEM6659, CEM7350, CEM7350L, AOD4184A, CEM8809, CEM8958, CEM8958A, CEM8968, CEM9436A, CEM9926A, CEM9935A, CEM9936A