Справочник MOSFET. CEM8208

 

CEM8208 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM8208
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 680 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM8208

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM8208 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:604K  cet
 cem8208.pdf pdf_icon

CEM8208

CEM8208Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES520V, 7A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package. ESD Protected: 2000 VSO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... CEM6188 , CEM6426 , CEM6428 , CEM6600 , CEM6608 , CEM6659 , CEM7350 , CEM7350L , HY1906P , CEM8809 , CEM8958 , CEM8958A , CEM8968 , CEM9436A , CEM9926A , CEM9935A , CEM9936A .

History: HGS095NE4SL | IXTK17N120L | ZXM62N03G | P6403FMG | IPP90R800C3 | CTD03N4P3 | CEP6086

 

 
Back to Top

 


 
.