CEM8208 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEM8208
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 680 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для CEM8208
CEM8208 Datasheet (PDF)
cem8208.pdf

CEM8208Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES520V, 7A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package. ESD Protected: 2000 VSO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... CEM6188 , CEM6426 , CEM6428 , CEM6600 , CEM6608 , CEM6659 , CEM7350 , CEM7350L , HY1906P , CEM8809 , CEM8958 , CEM8958A , CEM8968 , CEM9436A , CEM9926A , CEM9935A , CEM9936A .
History: IXFK80N50P | 2SK2682
History: IXFK80N50P | 2SK2682



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor