CEM8809 Todos los transistores

 

CEM8809 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM8809
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEM8809 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  cet
 cem8809.pdf pdf_icon

CEM8809

CEM8809N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 16A, RDS(ON) = 6 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.5 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwi

Otros transistores... CEM6426 , CEM6428 , CEM6600 , CEM6608 , CEM6659 , CEM7350 , CEM7350L , CEM8208 , AO3407 , CEM8958 , CEM8958A , CEM8968 , CEM9436A , CEM9926A , CEM9935A , CEM9936A , CEN7002A .

History: GSM3411 | HYG035N06LS1C2 | SWF4N60DA | AOTL66912

 

 
Back to Top

 


 
.