CEM8809 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM8809
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
CEM8809 Datasheet (PDF)
cem8809.pdf

CEM8809N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 16A, RDS(ON) = 6 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.5 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwi
Otros transistores... CEM6426 , CEM6428 , CEM6600 , CEM6608 , CEM6659 , CEM7350 , CEM7350L , CEM8208 , AO3407 , CEM8958 , CEM8958A , CEM8968 , CEM9436A , CEM9926A , CEM9935A , CEM9936A , CEN7002A .
History: IRF7807PBF-1 | BL9N20-A
History: IRF7807PBF-1 | BL9N20-A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor