CEM8809 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEM8809 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEM8809
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM8809

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM8809 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  cet
 cem8809.pdf pdf_icon

CEM8809

CEM8809N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 16A, RDS(ON) = 6 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.5 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwi

Другие MOSFET... CEM6426 , CEM6428 , CEM6600 , CEM6608 , CEM6659 , CEM7350 , CEM7350L , CEM8208 , AO3407 , CEM8958 , CEM8958A , CEM8968 , CEM9436A , CEM9926A , CEM9935A , CEM9936A , CEN7002A .

History: IPA100N08N3G | SRT10N120LTC | IRF7807PBF-1 | 2SK3613-01 | IXTT440N055T2 | SWB068R68E7T | IPD600N25N3G

 

 
Back to Top

 


 
.