CEM8809. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM8809

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM8809

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM8809 даташит

 ..1. Size:571K  cet
 cem8809.pdf pdf_icon

CEM8809

CEM8809 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 16A, RDS(ON) = 6 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.5 m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwi

Другие IGBT... CEM6426, CEM6428, CEM6600, CEM6608, CEM6659, CEM7350, CEM7350L, CEM8208, AO4407A, CEM8958, CEM8958A, CEM8968, CEM9436A, CEM9926A, CEM9935A, CEM9936A, CEN7002A