CET0215 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CET0215
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.44 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT223
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CET0215 Datasheet (PDF)
1.1. cet0215.pdf 
Size:386K _cet
CET0215 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 150V, 2A, RDS(ON) = 440m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 580m? @VGS = 6V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Dra
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