CET0215 Todos los transistores

 

CET0215 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET0215
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de CET0215 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CET0215 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  cet
 cet0215.pdf pdf_icon

CET0215

CET0215N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES150V, 2A, RDS(ON) = 440m @VGS = 10V.RDS(ON) = 580m @VGS = 6V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead-free plating ; RoHS compliant.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Uni

Otros transistores... CES2310 , CES2312 , CES2314 , CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , IRFP260N , CET04N10 , CET3055L , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 .

History: IRF530NS | IPP65R225C7

 

 
Back to Top

 


 
.