Справочник MOSFET. CET0215

 

CET0215 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CET0215

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 3 ns

Выходная емкость (Cd): 85 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.44 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для CET0215

 

 

CET0215 Datasheet (PDF)

1.1. cet0215.pdf Size:386K _cet

CET0215
CET0215

CET0215 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 150V, 2A, RDS(ON) = 440m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 580m? @VGS = 6V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Dra

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top