CET0215 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CET0215  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CET0215

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET0215 даташит

 ..1. Size:386K  cet
 cet0215.pdf pdf_icon

CET0215

CET0215 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 150V, 2A, RDS(ON) = 440m @VGS = 10V. RDS(ON) = 580m @VGS = 6V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Uni

Другие IGBT... CES2310, CES2312, CES2314, CES2316, CES2320, CES2324, CES2342, CES2362, IRFZ44, CET04N10, CET3055L, CET3252, CET6426, CEU4269, CEU4279, CEV2306, CEA6861