CET04N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CET04N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de CET04N10 MOSFET
CET04N10 Datasheet (PDF)
cet04n10.pdf

CET04N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 3A, RDS(ON) = 200m @VGS = 10V.RDS(ON) = 280m @VGS = 6V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source
Otros transistores... CES2312 , CES2314 , CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , IRF3710 , CET3055L , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 , CEB05P03 .
History: FCI25N60N | IXFT14N100 | SSH10N90A
History: FCI25N60N | IXFT14N100 | SSH10N90A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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