CET04N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CET04N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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CET04N10 Datasheet (PDF)

1.1. cet04n10.pdf Size:391K _cet

CET04N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 3A, RDS(ON) = 200m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 280m? @VGS = 6V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source Voltag

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