CET04N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CET04N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для CET04N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET04N10 даташит

 ..1. Size:391K  cet
 cet04n10.pdf pdf_icon

CET04N10

CET04N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 3A, RDS(ON) = 200m @VGS = 10V. RDS(ON) = 280m @VGS = 6V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source

Другие IGBT... CES2312, CES2314, CES2316, CES2320, CES2324, CES2342, CES2362, CET0215, AO3400, CET3055L, CET3252, CET6426, CEU4269, CEU4279, CEV2306, CEA6861, CEB05P03