Справочник MOSFET. CET04N10

 

CET04N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CET04N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для CET04N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET04N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  cet
 cet04n10.pdf pdf_icon

CET04N10

CET04N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 3A, RDS(ON) = 200m @VGS = 10V.RDS(ON) = 280m @VGS = 6V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

Другие MOSFET... CES2312 , CES2314 , CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , IRF3710 , CET3055L , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 , CEB05P03 .

History: TPCA8120 | ELM14606AA | CEU3100 | KQS4900 | WFP830B | JCS86N25ABT | RJK2006DPF

 

 
Back to Top

 


 
.