CET3055L Todos los transistores

 

CET3055L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET3055L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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CET3055L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cet
 cet3055l.pdf pdf_icon

CET3055L

CET3055LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m @VGS = 5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

Otros transistores... CES2314 , CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , CET04N10 , AON6414A , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 .

History: FQA65N06 | FQI2N90TU | IXFT86N30T | 2SK3096 | APM4800 | HM80N03K | IXFV12N120PS

 

 
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