CET3055L Todos los transistores

 

CET3055L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CET3055L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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CET3055L Datasheet (PDF)

1.1. cet3055l.pdf Size:366K _cet

CET3055L
CET3055L

CET3055L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4A, RDS(ON) = 85m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m? @VGS = 5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source Voltage

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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