CET3055L - аналоги и даташиты транзистора

 

CET3055L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CET3055L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для CET3055L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET3055L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cet
 cet3055l.pdf pdf_icon

CET3055L

CET3055LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m @VGS = 5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

Другие MOSFET... CES2314 , CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , CET04N10 , IRFB4227 , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 .

History: IRF5N3710 | IXTA28P065T | VBZQA50N03 | IXTA2R4N120P | IRF550A

 

 
Back to Top

 


 
.