CET3055L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CET3055L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для CET3055L
CET3055L Datasheet (PDF)
cet3055l.pdf

CET3055LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. RDS(ON) = 100m @VGS = 5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source
Другие MOSFET... CES2314 , CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , CET04N10 , AON6414A , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 .
History: STB75NF75LT4 | HM7N65 | CEB20P06 | PJM2302NSA | IPP032N06N3G | AOB470L | FQA7N80
History: STB75NF75LT4 | HM7N65 | CEB20P06 | PJM2302NSA | IPP032N06N3G | AOB470L | FQA7N80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381