CET3252 Todos los transistores

 

CET3252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET3252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de CET3252 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CET3252 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  cet
 cet3252.pdf pdf_icon

CET3252

CET3252PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 8A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Units

Otros transistores... CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , CET04N10 , CET3055L , P55NF06 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 .

History: DMN6068LK3-13 | CES2362 | IXFH60N20F | IXTH96N20P | AON2801 | STW12N120K5

 

 
Back to Top

 


 
.