CET3252. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CET3252

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для CET3252

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET3252 даташит

 ..1. Size:390K  cet
 cet3252.pdf pdf_icon

CET3252

CET3252 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 8A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units

Другие IGBT... CES2316, CES2320, CES2324, CES2342, CES2362, CET0215, CET04N10, CET3055L, IRF3710, CET6426, CEU4269, CEU4279, CEV2306, CEA6861, CEB05P03, CEB12P10, CEB14P20