Справочник MOSFET. CET3252

 

CET3252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CET3252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для CET3252

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET3252 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  cet
 cet3252.pdf pdf_icon

CET3252

CET3252PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 8A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Units

Другие MOSFET... CES2316 , CES2320 , CES2324 , CES2342 , CES2362 , CET0215 , CET04N10 , CET3055L , P55NF06 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 .

History: FTK4N70I | AON2801 | CES2362 | IXTH96N20P | STW12N120K5 | IXFH60N20F | DMN6068LK3-13

 

 
Back to Top

 


 
.