CEV2306 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEV2306

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT323

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CEV2306 datasheet

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CEV2306

CEV2306 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 2A, RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 85m @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-323 package. D S G G SOT-323(SC-70) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Unit

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