CEV2306 Todos los transistores

 

CEV2306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEV2306
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

 Búsqueda de reemplazo de CEV2306 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEV2306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  cet
 cev2306.pdf pdf_icon

CEV2306

CEV2306N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 2A, RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 85m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-323 package.DS GGSOT-323(SC-70)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Unit

Otros transistores... CES2362 , CET0215 , CET04N10 , CET3055L , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , IRFP250N , CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 .

History: IRF520NPBF | DH100P28D | DH100P30AD | HTN021N03 | CEB75N10 | GSM2343A | P0770JD

 

 
Back to Top

 


 
.