CEV2306. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEV2306

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для CEV2306

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEV2306 даташит

 ..1. Size:351K  cet
 cev2306.pdf pdf_icon

CEV2306

CEV2306 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 2A, RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 85m @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-323 package. D S G G SOT-323(SC-70) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Unit

Другие IGBT... CES2362, CET0215, CET04N10, CET3055L, CET3252, CET6426, CEU4269, CEU4279, 2N7000, CEA6861, CEB05P03, CEB12P10, CEB14P20, CEB15P15, CEB20P06, CEB20P10, CEB30P03