Справочник MOSFET. CEV2306

 

CEV2306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEV2306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для CEV2306

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEV2306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  cet
 cev2306.pdf pdf_icon

CEV2306

CEV2306N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 2A, RDS(ON) = 65m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 85m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-323 package.DS GGSOT-323(SC-70)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Unit

Другие MOSFET... CES2362 , CET0215 , CET04N10 , CET3055L , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , IRF9540 , CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 .

History: CEB75N06G | BUK9609-40B | ME7632S-G | LNC18N50 | SI2336DS | MDP13N50GTH | BSP317P

 

 
Back to Top

 


 
.