CEA6861 Todos los transistores

 

CEA6861 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEA6861
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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CEA6861 Datasheet (PDF)

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CEA6861

CEA6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -2.4A, RDS(ON) = 135m @VGS = -10V. RDS(ON) = 180m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S

Otros transistores... CET0215 , CET04N10 , CET3055L , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , IRFB4115 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 .

History: FTK12N65F | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | CHM4435AZGP

 

 
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