CEA6861 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEA6861
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de CEA6861 MOSFET
CEA6861 Datasheet (PDF)
cea6861.pdf

CEA6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -2.4A, RDS(ON) = 135m @VGS = -10V. RDS(ON) = 180m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S
Otros transistores... CET0215 , CET04N10 , CET3055L , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , IRFB4115 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 .
History: IPW90R500C3 | CSD18563Q5A | MTP8N50E | FDMC86262P | IXTA220N075T7 | HGW105N15M
History: IPW90R500C3 | CSD18563Q5A | MTP8N50E | FDMC86262P | IXTA220N075T7 | HGW105N15M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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