CEA6861 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEA6861  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEA6861

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEA6861 даташит

 ..1. Size:314K  cet
 cea6861.pdf pdf_icon

CEA6861

CEA6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -2.4A, RDS(ON) = 135m @VGS = -10V. RDS(ON) = 180m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-89 package. G D S D G SOT-89 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-S

Другие IGBT... CET0215, CET04N10, CET3055L, CET3252, CET6426, CEU4269, CEU4279, CEV2306, P55NF06, CEB05P03, CEB12P10, CEB14P20, CEB15P15, CEB20P06, CEB20P10, CEB30P03, CEB35P10