Справочник MOSFET. CEA6861

 

CEA6861 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEA6861
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для CEA6861

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEA6861 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  cet
 cea6861.pdf pdf_icon

CEA6861

CEA6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -2.4A, RDS(ON) = 135m @VGS = -10V. RDS(ON) = 180m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S

Другие MOSFET... CET0215 , CET04N10 , CET3055L , CET3252 , CET6426 , CEU4269 , CEU4279 , CEV2306 , IRFB4115 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 .

History: RJK5015DPK | FQD13N10LTF | TPCJ2101 | RJK1211DPA | HMS10N60K | STW77N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.