Справочник MOSFET. CEA6861

 

CEA6861 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEA6861
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEA6861 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  cet
 cea6861.pdf pdf_icon

CEA6861

CEA6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -2.4A, RDS(ON) = 135m @VGS = -10V. RDS(ON) = 180m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXTH27N40MA | FQB6N80TM | KNB3508A | SIHLR120 | RFT3055LE | SSP80R1K3S | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.