CEB35P10 Todos los transistores

 

CEB35P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB35P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB35P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cet
 cep35p10 ceb35p10 cef35p10.pdf pdf_icon

CEB35P10

CEP35P10/CEB35P10CEF35P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -32A, RDS(ON) =76m @VGS = -10V. RDS(ON) =92m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM

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History: IPD031N03L

 

 
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