CEB35P10 Todos los transistores

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CEB35P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB35P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 32 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 335 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.076 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB35P10 Datasheet (PDF)

1.1. cep35p10 ceb35p10 cef35p10.pdf Size:395K _cet

CEB35P10
CEB35P10

CEP35P10/CEB35P10 CEF35P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -32A, RDS(ON) =76m? @VGS = -10V. RDS(ON) =92m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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