CEB35P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB35P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB35P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB35P10 даташит

 ..1. Size:395K  cet
 cep35p10 ceb35p10 cef35p10.pdf pdf_icon

CEB35P10

CEP35P10/CEB35P10 CEF35P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -32A, RDS(ON) =76m @VGS = -10V. RDS(ON) =92m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... CEA6861, CEB05P03, CEB12P10, CEB14P20, CEB15P15, CEB20P06, CEB20P10, CEB30P03, STP75NF75, CEB50P03, CEB6601, CEB95P04, CED05P03, CED11P20, CED12P10, CED20P06, CED20P10