Справочник MOSFET. CEB35P10

 

CEB35P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB35P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB35P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cet
 cep35p10 ceb35p10 cef35p10.pdf pdf_icon

CEB35P10

CEP35P10/CEB35P10CEF35P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -32A, RDS(ON) =76m @VGS = -10V. RDS(ON) =92m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.