CEB35P10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEB35P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для CEB35P10
CEB35P10 Datasheet (PDF)
cep35p10 ceb35p10 cef35p10.pdf

CEP35P10/CEB35P10CEF35P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -32A, RDS(ON) =76m @VGS = -10V. RDS(ON) =92m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET... CEA6861 , CEB05P03 , CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , 12N60 , CEB50P03 , CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 .
History: CEP3100 | AP9973GI | DMN3031LSS | HUFA76419D3 | 2N5246 | SI3430DV
History: CEP3100 | AP9973GI | DMN3031LSS | HUFA76419D3 | 2N5246 | SI3430DV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor