CEB6601 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB6601  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB6601 datasheet

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CEB6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 ..2. Size:1963K  cn vbsemi
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CEB6601

CEB6601 www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.048at VGS = - 10 V - 35 - 60 60 100 % Rg and UIS Tested 0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Power Switch Load S

Otros transistores... CEB12P10, CEB14P20, CEB15P15, CEB20P06, CEB20P10, CEB30P03, CEB35P10, CEB50P03, IRF9540N, CEB95P04, CED05P03, CED11P20, CED12P10, CED20P06, CED20P10, CED2303, CED30P10