Справочник MOSFET. CEB6601

 

CEB6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  cet
 cep6601 ceb6601 cef6601.pdf pdf_icon

CEB6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING

 ..2. Size:1963K  cn vbsemi
 ceb6601.pdf pdf_icon

CEB6601

CEB6601www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.048at VGS = - 10 V- 35- 60 60 100 % Rg and UIS Tested0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Power Switch Load S

Другие MOSFET... CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , IRF1010E , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 .

History: IRF1010EL

 

 
Back to Top

 


 
.