CEB6601 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CEB6601. Основные параметры


   Наименование производителя: CEB6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB6601 даташит

 ..1. Size:428K  cet
 cep6601 ceb6601 cef6601.pdf pdf_icon

CEB6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 ..2. Size:1963K  cn vbsemi
 ceb6601.pdf pdf_icon

CEB6601

CEB6601 www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.048at VGS = - 10 V - 35 - 60 60 100 % Rg and UIS Tested 0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Power Switch Load S

Другие MOSFET... CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , IRF9540N , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 .

History: BFC15 | FDC5661N-F085 | IRLML2803PBF | BL50N30-W | AGM1405F | AGM13T05A

 

 
Back to Top

 


 
.