Справочник MOSFET. CEB6601

 

CEB6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEB6601

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 19 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 4 ns

Выходная емкость (Cd): 95 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.086 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB6601

 

 

CEB6601 Datasheet (PDF)

1.1. cep6601 ceb6601 cef6601.pdf Size:428K _cet

CEB6601 CEB6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -19A, RDS(ON) = 86mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... CEB12P10 , CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , IRFZ48N , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 .

 

 
Back to Top