CEB95P04 Todos los transistores

 

CEB95P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB95P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 93 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB95P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  cet
 cep95p04 ceb95p04.pdf pdf_icon

CEB95P04

CEP95P04/CEB95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-40V, -93A, RDS(ON) =8.4m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIM

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History: RU7570L | SSF25N40A | RU7550S | SSF4N80AS | FDA18N50

 

 
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