Справочник MOSFET. CEB95P04

 

CEB95P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB95P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB95P04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB95P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  cet
 cep95p04 ceb95p04.pdf pdf_icon

CEB95P04

CEP95P04/CEB95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-40V, -93A, RDS(ON) =8.4m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... CEB14P20 , CEB15P15 , CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , CEB6601 , IRF4905 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 .

History: IXTP26P20P | NTD5865N | BUK563-100A | SSF22N50A | SML80H12 | 2N6756JTXV

 

 
Back to Top

 


 
.