Справочник MOSFET. CEB95P04

 

CEB95P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB95P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB95P04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB95P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  cet
 cep95p04 ceb95p04.pdf pdf_icon

CEB95P04

CEP95P04/CEB95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-40V, -93A, RDS(ON) =8.4m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: RU7570L | SSF4N80AS | RU7550S | SSF25N40A | FDA18N50 | 3SK128Q | SSF17N60A

 

 
Back to Top

 


 
.