CED11P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED11P20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 74 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.36 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED11P20 Datasheet (PDF)

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CED11P20/CEU11P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36? @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

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