CED11P20 Todos los transistores

 

CED11P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED11P20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de CED11P20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CED11P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 ced11p20 ceu11p20.pdf pdf_icon

CED11P20

CED11P20/CEU11P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Otros transistores... CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , AO3400 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 .

History: APT10050LVR | BUZ63 | 2SJ179

 

 
Back to Top

 


 
.