CED11P20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CED11P20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED11P20
CED11P20 Datasheet (PDF)
ced11p20 ceu11p20.pdf

CED11P20/CEU11P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATI
Другие MOSFET... CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , AO3400 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 .
History: 2N6760JTXV | FDA20N50F | APT6035AVR | APT6040BN | IRFI634A | APT6037HVR | IRL8114PBF
History: 2N6760JTXV | FDA20N50F | APT6035AVR | APT6040BN | IRFI634A | APT6037HVR | IRL8114PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent