CED11P20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CED11P20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CED11P20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED11P20 даташит

 ..1. Size:408K  cet
 ced11p20 ceu11p20.pdf pdf_icon

CED11P20

CED11P20/CEU11P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие IGBT... CEB20P06, CEB20P10, CEB30P03, CEB35P10, CEB50P03, CEB6601, CEB95P04, CED05P03, BS170, CED12P10, CED20P06, CED20P10, CED2303, CED30P10, CED3301, CED3423, CED4201