Справочник MOSFET. CED11P20

 

CED11P20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED11P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED11P20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED11P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  cet
 ced11p20 ceu11p20.pdf pdf_icon

CED11P20

CED11P20/CEU11P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , AO3400 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 .

History: HUF75329P3 | MDP18N50TH

 

 
Back to Top

 


 
.