CED11P20 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CED11P20. Основные параметры


   Наименование производителя: CED11P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED11P20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED11P20 даташит

 ..1. Size:408K  cet
 ced11p20 ceu11p20.pdf pdf_icon

CED11P20

CED11P20/CEU11P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -200V, -10.5A, RDS(ON) = 0.36 @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... CEB20P06 , CEB20P10 , CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , AO3401 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.