CED20P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED20P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 13 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 4.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.125 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED20P06
CED20P06 Datasheet (PDF)
1.1. ced20p06 ceu20p06.pdf 
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CED20P06/CEU20P06 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -13A, RDS(ON) = 125m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 175m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMU
4.1. ced20p10 ceu20p10.pdf Size:417K _cet
CED20P10/CEU20P10 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -16A, RDS(ON) = 130m? @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
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