Справочник MOSFET. CED20P06

 

CED20P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CED20P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 4.5 ns

Выходная емкость (Cd): 140 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED20P06

 

 

CED20P06 Datasheet (PDF)

1.1. ced20p06 ceu20p06.pdf Size:428K _cet

CED20P06
CED20P06

CED20P06/CEU20P06 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -13A, RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 175mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE

4.1. ced20p10 ceu20p10.pdf Size:417K _cet

CED20P06
CED20P06

CED20P10/CEU20P10 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -16A, RDS(ON) = 130mΩ @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 

Другие MOSFET... CEB30P03 , CEB35P10 , CEB50P03 , CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , IRFP4227 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 .

 

 
Back to Top