CED20P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CED20P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CED20P06 Datasheet (PDF)
ced20p06 ceu20p06.pdf

CED20P06/CEU20P06P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -13A, RDS(ON) = 125m @VGS = -10V. RDS(ON) = 175m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE
ced20p10 ceu20p10.pdf

CED20P10/CEU20P10PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -16A, RDS(ON) = 130m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATING
ced20n02 ceu20n02.pdf

CED20N02/CEU20N02N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 18A, RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 75m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: HUF75842S3S | UTT18P10G-TA3-T | CED05P03 | HUF76145S3S | SVG086R0NDTR | TA17656
History: HUF75842S3S | UTT18P10G-TA3-T | CED05P03 | HUF76145S3S | SVG086R0NDTR | TA17656



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor