CED2303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED2303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 33 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 9 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
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CED2303 Datasheet (PDF)
1.1. ced2303 ceu2303.pdf 
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CED2303/CEU2303 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -9A, RDS(ON) = 200m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 320m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU
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