CED2303 Todos los transistores

 

CED2303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED2303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED2303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  cet
 ced2303 ceu2303.pdf pdf_icon

CED2303

CED2303/CEU2303P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -9A, RDS(ON) = 200m @VGS = -10V. RDS(ON) = 320m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)

Otros transistores... CEB50P03 , CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , AON7410 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 .

History: HSU80N03 | IXFT14N80P | CHM02N6GPAGP | SUN05A50ZD

 

 
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