CED2303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED2303

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 33 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED2303 Datasheet (PDF)

1.1. ced2303 ceu2303.pdf Size:203K _cet

CED2303/CEU2303 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -9A, RDS(ON) = 200m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 320m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU

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