CED2303 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CED2303  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CED2303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED2303 даташит

 ..1. Size:203K  cet
 ced2303 ceu2303.pdf pdf_icon

CED2303

CED2303/CEU2303 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -9A, RDS(ON) = 200m @VGS = -10V. RDS(ON) = 320m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK)

Другие IGBT... CEB50P03, CEB6601, CEB95P04, CED05P03, CED11P20, CED12P10, CED20P06, CED20P10, IRFP260, CED30P10, CED3301, CED3423, CED4201, CED4301, CED4311, CED6601, CED6861