CED30P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED30P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de CED30P10 MOSFET
CED30P10 Datasheet (PDF)
ced30p10 ceu30p10.pdf

CED30P10/CEU30P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-100V, -30A, RDS(ON) = 76m @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE
ceu3060 ced3060.pdf

CED3060/CEU3060N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXI
Otros transistores... CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , IRF9540N , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 .
History: G69 | IXTP1N100P
History: G69 | IXTP1N100P



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