CED30P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED30P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm

Encapsulados: TO251

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CED30P10 datasheet

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CED30P10

CED30P10/CEU30P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -30A, RDS(ON) = 76m @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE

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CED30P10

CED3060/CEU3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXI

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