CED30P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED30P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 345 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.076 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED30P10
CED30P10 Datasheet (PDF)
1.1. ced30p10 ceu30p10.pdf 
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CED30P10/CEU30P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -30A, RDS(ON) = 76m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM
5.1. ceu3060 ced3060.pdf Size:392K _cet
CED3060/CEU3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RAT
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