CED30P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CED30P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 78 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 345 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.076 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED30P10 Datasheet (PDF)
1.1. ced30p10 ceu30p10.pdf 
Size:417K _cet
CED30P10/CEU30P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -30A, RDS(ON) = 76m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM
5.1. ceu3060 ced3060.pdf Size:392K _cet
CED3060/CEU3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Другие MOSFET... SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , IRFP260N , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: KO3407 | KO3404 | KO3403 | KO3402 | KN0606L | KML0D4P20E | KML0D4N20E | KMDF2C03HD | KMB075N75P | KI7540DP | KI6968BEDQ | KI5P03DY | KI5935DC | KI5908DC | KI5905DC |