Справочник MOSFET. CED30P10

 

CED30P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CED30P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 78 nC

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 345 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.076 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED30P10

 

 

CED30P10 Datasheet (PDF)

1.1. ced30p10 ceu30p10.pdf Size:417K _cet

CED30P10 CED30P10

CED30P10/CEU30P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -30A, RDS(ON) = 76mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 92mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE

5.1. ceu3060 ced3060.pdf Size:392K _cet

CED30P10 CED30P10

CED3060/CEU3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 75A , RDS(ON) = 6.6mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5mΩ @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , J111 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 .

 

 
Back to Top