CED30P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED30P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED30P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED30P10 даташит

 ..1. Size:417K  cet
 ced30p10 ceu30p10.pdf pdf_icon

CED30P10

CED30P10/CEU30P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -30A, RDS(ON) = 76m @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE

 9.1. Size:392K  cet
 ceu3060 ced3060.pdf pdf_icon

CED30P10

CED3060/CEU3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXI

Другие IGBT... CEB6601, CEB95P04, CED05P03, CED11P20, CED12P10, CED20P06, CED20P10, CED2303, SKD502T, CED3301, CED3423, CED4201, CED4301, CED4311, CED6601, CED6861, CED95P04