CED30P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CED30P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 78 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 345 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.076 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED30P10 Datasheet (PDF)
1.1. ced30p10 ceu30p10.pdf 
Size:417K _cet
CED30P10/CEU30P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V, -30A, RDS(ON) = 76m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 92m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM
5.1. ceu3060 ced3060.pdf Size:392K _cet
CED3060/CEU3060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 75A , RDS(ON) = 6.6m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 9.5m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Другие MOSFET... CEB6601 , CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , J111 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: PSMNR90-30BL | PSMN9R8-30MLC | PSMN9R5-100BS | PSMN9R0-25MLC | PSMN8R7-80BS | PSMN8R5-108ES | PSMN8R5-100XS | PSMN8R5-100PS | PSMN8R5-100ES | PSMN8R0-40BS | PSMN7R8-120PS | PSMN7R8-120ES | PSMN7R8-100PSE | PSMN7R6-60XS | PSMN7R6-60BS |