CED3301 Todos los transistores

 

CED3301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED3301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

CED3301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  cet
 ced3301 ceu3301.pdf pdf_icon

CED3301

CED3301/CEU3301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -28A, RDS(ON) = 32m @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

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History: FDPF8N50NZ | SRT10N047HT | ET2N7002K | IRF7749L2TRPBF | AP9120GJ-HF | AP9579GS-HF | DMTH6004SK3Q

 

 
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