Справочник MOSFET. CED3301

 

CED3301 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CED3301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 6 ns

Выходная емкость (Cd): 220 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED3301

 

 

CED3301 Datasheet (PDF)

1.1. ced3301 ceu3301.pdf Size:442K _cet

CED3301
CED3301

CED3301/CEU3301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -28A, RDS(ON) = 32m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .

 

 

Back to Top

 


CED3301
  CED3301
  CED3301
  CED3301
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: NVJD4152P | NVGS5120P | NVGS4141N | NVGS4111P | NVGS3443 | NVGS3441 | NVGS3136P | NVGS3130N | NVF6P02 | NVF5P03 | NVF3055L108 | NVF3055-100 | NVF2955 | NVF2201N | NVE4153N |
 

 

 

 
Back to Top