Справочник MOSFET. CED3301

 

CED3301 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CED3301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 6 ns

Выходная емкость (Cd): 220 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED3301

 

 

CED3301 Datasheet (PDF)

1.1. ced3301 ceu3301.pdf Size:442K _cet

CED3301
CED3301

CED3301/CEU3301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -28A, RDS(ON) = 32m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , 2SK2996 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 .

Back to Top

 


CED3301
  CED3301
  CED3301
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: TMD5N60Z | TMD5N60AZ | TMD5N50G | TMD5N50 | TMD5N40ZG | TMD4N65Z | TMD4N65AZ | TMD4N60AZ | TMD4N60 | TMD3N90 | TMD3N80G | TMD3N50Z | TMD3N50AZ | TMD3N40ZG | TMD2N65AZ |
 


 

 

Back to Top