CED3301 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED3301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED3301 Datasheet (PDF)
ced3301 ceu3301.pdf
CED3301/CEU3301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -28A, RDS(ON) = 32m @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... CEB95P04 , CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , K4145 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679


