CED3301 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CED3301  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CED3301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED3301 даташит

 ..1. Size:442K  cet
 ced3301 ceu3301.pdf pdf_icon

CED3301

CED3301/CEU3301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -28A, RDS(ON) = 32m @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAX

Другие IGBT... CEB95P04, CED05P03, CED11P20, CED12P10, CED20P06, CED20P10, CED2303, CED30P10, P55NF06, CED3423, CED4201, CED4301, CED4311, CED6601, CED6861, CED95P04, CEF14P20