CED3423 Todos los transistores

 

CED3423 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED3423
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED3423 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
 ced3423 ceu3423.pdf pdf_icon

CED3423

CED3423/CEU3423P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -18A, RDS(ON) = 45m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

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History: SVS11N65S | HM603AK | PSMN023-80LS | DH026N06B | SVS11N65SD2TR | AP65SL190DP

 

 
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