CED3423 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CED3423
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED3423 Datasheet (PDF)
1.1. ced3423 ceu3423.pdf 
Size:394K _cet
CED3423/CEU3423 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -18A, RDS(ON) = 45m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RA
Другие MOSFET... CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CEP83A3 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZXMS6006SGQ | ZXMS6006DT8Q | ZXMS6006DGQ | ZXMS6005SGQ | ZXMS6005DT8Q | ZXMS6005DGQ | ZXMS6004SGQ | ZXMS6004FFQ | ZXMS6004DT8Q | ZXMS6004DGQ | ZXMS6002GQ | ZXMP7A17KTC | ZXMP7A17GTA | ZXMP7A17GQ | ZXMP6A18KTC |