Справочник MOSFET. CED3423

 

CED3423 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED3423
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED3423

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED3423 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
 ced3423 ceu3423.pdf pdf_icon

CED3423

CED3423/CEU3423P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -18A, RDS(ON) = 45m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , TK10A60D , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 .

History: 2N6661SM | FDA032N08 | FQP4N90C

 

 
Back to Top

 


 
.