CED3423 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED3423
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED3423
CED3423 Datasheet (PDF)
ced3423 ceu3423.pdf

CED3423/CEU3423P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -18A, RDS(ON) = 45m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAX
Другие MOSFET... CED05P03 , CED11P20 , CED12P10 , CED20P06 , CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , AO4407 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181