CED6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED6601
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 43 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.086 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED6601
CED6601 Datasheet (PDF)
1.1. ced6601 ceu6601.pdf 
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CED6601/CEU6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -16A, RDS(ON) = 86m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM R
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