CED6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED6601

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 43 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.086 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED6601 Datasheet (PDF)

1.1. ced6601 ceu6601.pdf Size:428K _cet

CED6601/CEU6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -16A, RDS(ON) = 86m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM R

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