CED6601 Todos los transistores

Introduzca al menos 3 números o letras

CED6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED6601

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 43 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.086 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED6601

 

CED6601 Datasheet (PDF)

1.1. ced6601 ceu6601.pdf Size:428K _cet

CED6601
CED6601

CED6601/CEU6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -16A, RDS(ON) = 86m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM R

Otros transistores... CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , J310 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 .

Back to Top

 


CED6601
  CED6601
  CED6601
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SIHFP22N60K | SIHFP22N50A | SIHFP21N60L | SIHFP17N50L | SIHFP150 | SIHFP140 | SIHFP064 | SIHFP054 | SIHFP048R | SIHFP048 | SIHFL9110 | SIHFL9014 | SIHFL214 | SIHFL210 | SIHFL110 |

Introduzca al menos 1 números o letras

 

Back to Top