CED6601 Todos los transistores

 

CED6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED6601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de CED6601 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CED6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  cet
ced6601 ceu6601.pdf pdf_icon

CED6601

CED6601/CEU6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -16A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MA

Otros transistores... CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , IRF530 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 .

History: IRFI4905

 

 
Back to Top

 


 
.