CED6601 - описание и поиск аналогов

 

CED6601 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CED6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6601 технические параметры

 ..1. Size:428K  cet
 ced6601 ceu6601.pdf pdf_icon

CED6601

CED6601/CEU6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -16A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MA

Другие MOSFET... CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , IRF1010E , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 .

History: BF511

 

 
Back to Top

 


 
.