CED6601 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CED6601  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CED6601

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6601 даташит

 ..1. Size:428K  cet
 ced6601 ceu6601.pdf pdf_icon

CED6601

CED6601/CEU6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -16A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MA

Другие IGBT... CED20P10, CED2303, CED30P10, CED3301, CED3423, CED4201, CED4301, CED4311, IRFB3607, CED6861, CED95P04, CEF14P20, CEF15P15, CEF6601, CEH2305, CEH2313, CEH2321