Справочник MOSFET. CED6601

 

CED6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CED6601

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 4 ns

Выходная емкость (Cd): 95 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.086 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED6601

 

 

CED6601 Datasheet (PDF)

1.1. ced6601 ceu6601.pdf Size:428K _cet

CED6601 CED6601

CED6601/CEU6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -16A, RDS(ON) = 86mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MA

Другие MOSFET... CED20P10 , CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , J310 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 .

 

 
Back to Top