CED6861 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED6861

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 31 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de subida (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.132 Ohm

Paquete / Cubierta: TO251

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CED6861 Datasheet (PDF)

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CED6861/CEU6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -12A, RDS(ON) = 132m @VGS = -10V. RDS(ON) = 195m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE M

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