CED6861 Todos los transistores

 

CED6861 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED6861

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 31 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.132 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED6861

 

CED6861 Datasheet (PDF)

1.1. ced6861 ceu6861.pdf Size:440K _cet

CED6861
CED6861

CED6861/CEU6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -12A, RDS(ON) = 132mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 195mΩ @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE M

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


CED6861
  CED6861
  CED6861
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: WFP75N08 | UTC7N65L | SVF4N60CAMJ | SVF4N60CAMN | SVF4N60CAT | SVF4N60CAD | SVF4N60CAK | SVF4N60CAF | SUB85N03-07P | SUP85N03-07P | STP110N7F6 | SI9953DY | NTMFS4C55N | NCE0117K | MT3245 |

 

 

 
Back to Top