CED6861 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED6861
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.132 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED6861
CED6861 Datasheet (PDF)
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ced6861 ceu6861.pdf
ced6861 ceu6861.pdf
CED6861/CEU6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -12A, RDS(ON) = 132m @VGS = -10V. RDS(ON) = 195m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE M
Otros transistores... CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , RFP50N06 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A .
