CED6861 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED6861
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 31 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.132 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
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CED6861 Datasheet (PDF)
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CED6861/CEU6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -12A, RDS(ON) = 132m @VGS = -10V. RDS(ON) = 195m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE M
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