CED6861 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CED6861
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.132 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED6861 Datasheet (PDF)
1.1. ced6861 ceu6861.pdf 
Size:440K _cet
CED6861/CEU6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -12A, RDS(ON) = 132m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 195m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET... CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , 2N7002 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A .
