CED6861 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CED6861  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.132 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CED6861

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED6861 даташит

 ..1. Size:440K  cet
 ced6861 ceu6861.pdf pdf_icon

CED6861

CED6861/CEU6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -12A, RDS(ON) = 132m @VGS = -10V. RDS(ON) = 195m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE M

Другие IGBT... CED2303, CED30P10, CED3301, CED3423, CED4201, CED4301, CED4311, CED6601, AON7506, CED95P04, CEF14P20, CEF15P15, CEF6601, CEH2305, CEH2313, CEH2321, CEH2321A