CED6861 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED6861
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.132 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED6861
CED6861 технические параметры
ced6861 ceu6861.pdf
CED6861/CEU6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -12A, RDS(ON) = 132m @VGS = -10V. RDS(ON) = 195m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE M
Другие MOSFET... CED2303 , CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , IRFB3607 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800 | AP6242 | AP60P20K | AP60N04Q | AP6009S | AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640


