CED6861 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CED6861
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.132 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED6861
CED6861 Datasheet (PDF)
ced6861 ceu6861.pdf

CED6861/CEU6861P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -12A, RDS(ON) = 132m @VGS = -10V. RDS(ON) = 195m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE M
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DSN108N20N | DSG270N12N3 | DSG140N12N3 | DSG108N20NA | DSG070N15NA | DSG070N10L3 | DSG059N15NA | DSG054N10N3 | DSG053N08N3 | DSG052N14N | DSG048N08N3 | DSG047N08N3 | DSG045N14N | DSG041N08NA | DSG030N10N3 | DSG028N10NA
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640