Справочник MOSFET. CED6861

 

CED6861 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CED6861

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 4 ns

Выходная емкость (Cd): 65 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.132 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED6861

 

 

CED6861 Datasheet (PDF)

1.1. ced6861 ceu6861.pdf Size:440K _cet

CED6861
CED6861

CED6861/CEU6861 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -12A, RDS(ON) = 132m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 195m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 

 

Back to Top

 


CED6861
  CED6861
  CED6861
  CED6861
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: NVJD4152P | NVGS5120P | NVGS4141N | NVGS4111P | NVGS3443 | NVGS3441 | NVGS3136P | NVGS3130N | NVF6P02 | NVF5P03 | NVF3055L108 | NVF3055-100 | NVF2955 | NVF2201N | NVE4153N |
 

 

 

 
Back to Top